www黄色-久久av红桃一区二区小说-欧美日韩电影-av免费观看网站-国产欧美日本-好吊日视频-久久精品区-黄色av日韩-日韩国产精品视频-国产免费自拍视频-日本女人性生活视频-国产在线欧美-18视频网站在线观看-国语精品-欧美日韩一卡-日韩一区二区视频在线观看-亚洲一区二区欧美-麻豆亚洲av熟女国产一区二-美女脱得一干二净-丰满大乳露双乳呻吟-性厨房高清hd-肉丝美足丝袜一区二区三区四-一区三区视频-亚洲黄色视屏-日韩性av-日韩久久久久久久久久久-成人免费精品视频-亚洲欧美国产视频-椎名由奈av-淫影视改h文小说

WEP CVP21電化學C-V剖面濃度測量儀 德國WEP公司的CVP21電化學C-V剖面濃度測試儀可高效、準確的測量半導體材料（結構，層）中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制。 電化學ECV剖面濃度測試儀主要用于半導體材料的研究及開發，其原理是使用電化學電容-電壓法來測量半導體材料的摻雜濃度分布。電化學ECV（

開爾文探針（Kelvin Probe）是一種非接觸無損震蕩電容裝置，用于測量導體材料的功函數（Work Function）或半導體、絕緣表面的表面勢（Surface Potential）。材料表面的功函數通常由上層的1-3層原子或分子決定，所以開爾文探針是一種的表面分析技術。主要型號：KP020 （單點開爾文探針），SKP5050（掃描開爾文探針）。

光學薄膜測厚儀 薄膜表面或界面的反射光會與從基底的反射光相干涉，干涉的發生與膜厚及折光系數等有關，因此可通過計算得到薄膜的厚度。光干涉法是一種無損、且快速的光學薄膜厚度測量技術，我們的薄膜測量系統采用光干涉原